鍺Ge多晶參數
| 產品名稱 | 單位 | 半導體型 規格 | |
| 晶體生長方式 | inch | CZ | |
| 導電類型 | (n-type) | (p-type) | |
| 摻雜 | As,Sb | Ga | |
| 直徑 | 2 ”，3“，4'' and 6” | ||
| 晶向* | (100)±0.5° | ||
| OF/IF | US,EJ | ||
| 激光打標 | 按客戶要求定制 | ||
| 成品厚度* | um | (175-500)±25 | |
| 電阻率(室溫) | ohm-cm | 0.005-30 | 0.005-0.04 |
| 位錯密度(EPD) | /cm2 | ≤300 | ≤300 |
| TTV平整度 | um | ≤15 | ≤15 |
| 曲翹度 | um | ≤25 | ≤25 |
| 背面粗糙度(Ra) | um | <0.1 | <0.1 |
| 主面/背面 | Side1/side2 | E/E, P/E ,P/D (E=蝕刻，P=拋光，G=研磨) | |
| 開盒即用 | 是 | ||
| 包裝 | 單片盒或多片盒 | ||